Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

Кабінет Міністрів України; Постанова, Програма, Заходи від 15.10.2004 № 1368

Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

Стан: Чинний

Ідентифікатор: 1368-2004-п

Текст документа від 15.10.2004:

КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ

ПОСТАНОВА від 15 жовтня 2004 р. N 1368 Київ

Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

З метою прискорення розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій в галузі мікро- та оптоелектроніки Кабінет Міністрів України постановляє:

1. Затвердити Державну науково-технічну програму розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки, що додається.

2. Покласти на Національну академію наук функції державного замовника Програми, затвердженої цією постановою.

3. Затвердити керівником Програми генерального директора науково-технологічного комплексу "Інститут монокристалів" Національної академії наук Семиноженка В.П.

Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ

Інд. 28

ЗАТВЕРДЖЕНО постановою Кабінету Міністрів України від 15 жовтня 2004 р. N 1368

ДЕРЖАВНА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

1. Загальна частина

Ця Програма спрямована на реалізацію державної стратегії відродження і підтримки вітчизняного виробництва та розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій у галузях промисловості, зокрема електронній, виробництва транспортних засобів, машино- і приладобудування, засобів систем інформації, енергозберігаючих технологій на основі функціональної силової електроніки тощо як найважливішої умови підвищення добробуту населення та досягнення Україною статусу розвинутої країни відповідно до Програми діяльності Кабінету Міністрів України ( n0001120-03 ), схваленої постановою Верховної Ради України від 17 квітня 2004 р. N 729 ( 729-15 ).

У сучасній економіці розвинутих країн основоположними є наукоємні виробництва, серед яких провідне місце займає електронна промисловість.

Надвисокочастотна, мікро- та оптоелектроніка має стратегічне значення для економіки України, оскільки вона визначає технічний рівень промислової і побутової продукції, її конкурентоспроможність, стимулює розвиток сучасних інформаційних систем, засобів зв'язку, будівництво цивільних та військових літаків тощо. Обороноздатність країни також потребує високого рівня самозабезпечення електронною елементною базою військової техніки, де використання зарубіжної електроніки неприпустиме. Усе це свідчить про виключну важливість для майбутнього України інтенсифікації процесів розвитку електронної галузі, які за останнє десятиліття уповільнилися, та потребує вирішення завдань прискореного розвитку галузі, зміцнення економічної і технологічної незалежності.

2. Мета і основні завдання

Метою Програми є налагодження вітчизняного виробництва наукоємного електронного технологічного обладнання та сучасної електронної компонентної бази (далі - електронна база), забезпечення пріоритетного розвитку мікроелектроніки, мікромеханізації, квантової, нано-, акусто-, опто-, магнітоелектроніки, надвисокочастотної та інфрачервоної техніки, радіаційно стійкої електронної бази.

Основними завданнями Програми є:

розроблення та прискорене впровадження наукоємних технологій, налагодження на цій основі виробництва конкурентоспроможного електронного технологічного обладнання і сучасної електронної компонентної бази новітнього покоління;

налагодження виробництва високоефективних джерел світла;

забезпечення необхідного функціонального і технологічного рівня електронної бази за рахунок використання прикладних розробок вітчизняної науки;

розроблення мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища, запобігання тероризму;

забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону.

З метою виконання Програми розроблено заходи, що додаються.

3. Фінансове забезпечення

Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету, а також інших джерел.

Загальний обсяг коштів на фінансування Програми становить 59,36 млн гривень, з них з державного бюджету - 56,71 млн гривень, зокрема у 2005 році - 21,54 млн гривень, 2006 році - 20,795 млн, 2007 році - 14,375 млн, з інших джерел - 2,65 млн гривень.

4. Організаційне забезпечення

З метою забезпечення ефективного виконання Програми Національна академія наук як державний замовник здійснює такі заходи:

укладає договори з виконавцями, передбаченими Програмою;

здійснює контроль за виконанням заходів Програми в установлені строки, досягненням передбачених цільових показників, використанням фінансових, матеріально-технічних та інших ресурсів за призначенням;

подає щороку до 1 березня Кабінетові Міністрів України інформацію про хід виконання Програми, а після закінчення строку її виконання - заключний звіт про одержані результати.

Виконавцями заходів Програми є інститути Національної академії наук.

5. Очікувані результати

У результаті виконання Програми очікується:

1) розробка мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для потреб охорони здоров'я, моніторингу зовнішнього середовища, запобігання тероризму, зокрема:

інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазонах A та B, потужності дози в діапазоні C (стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту), а також для визначення сонцезахисного фактора (SPF) різних видів тканин і косметичних засобів;

технологій одержання багатоелементних p- і n- фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів у рентгенівських інспекційних сканерах;

технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур з розміром пікселя 200-250 мкм, інтегрованою електронікою і комутатором для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням;

детекторів радіації на фотодіодних структурах різного призначення, а саме: для використання в діапазонах енергій від 30 кеВ до 10 МеВ, контролю багажу, вантажу, легких і важких автомобілів, морських і авіаційних контейнерів; освоєння дослідно-промислового виробництва таких детекторів з параметрами, що перевищують світовий рівень;

енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію та сенсорів ультрафіолетової радіації нового покоління з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень;

технологій одержання p- i n- структури на різних типах кремнієвих кристалів;

організаційних передумов для налагодження промислового виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах та населенням;

2) створення електронної бази для інфрачервоної мікрофотоелектроніки, зокрема:

багатоелементних та матричних гібридних інфрачервоних фотоприймальних пристроїв, які складаються з матриць фоточутливих елементів для детектування інфрачервоного випромінювання та кремнієвих фокальних мікропроцесорів, для зчитування та обробки сигналів у фокальній площині;

технологій виготовлення основних функціональних елементів фотоприймальних пристроїв (охолоджуваних фотодіодних та неохолоджуваних мікроболометричних матриць, кремнієвих фокальних процесорів (пристроїв зчитування інформації), допоміжних приладів і пристроїв);

методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і матричних фотоприймальних пристроїв;

приладів та засобів метрології багатоелементних фотоприймальних пристроїв;

3) налагодження виробництва високоефективних напівпровідникових джерел світла, зокрема:

удосконалення технології вирощування сапфіру для потреб оптоелектроніки;

впровадження технологій виготовлення сапфірових підкладок з необхідною якістю поверхні;

розроблення технологій та організація виробництва ефективних світлодіодів;

створення високоефективних інфрачервоних випромінювачів, повністю сумісних з кремнієвою технологією;

4) забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжин хвиль шляхом:

збільшення довговічності приладів у десятки разів, що дозволить збільшити час активної експлуатації штучних супутників Землі;

поліпшення якості спектра генеруючих коливань;

створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації в електроніці;

оснащення підприємств та науково-дослідних установ необхідним фізико-хімічним аналітичним обладнанням, розвитку їхньої діагностичної бази;

створення центрів фізико-хімічних методів діагностики загального користування;

розвитку діагностичних методів, які будуть забезпечувати вимірювання структурних, оптичних та електрофізичних параметрів вихідних матеріалів електронної техніки;

налагодження виробництва надвисокочастотної елементної бази міліметрового діапазону (дискретні елементи) для новітніх малогабаритних і недорогих систем радіолокації, навігації, зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.

6. Контроль за виконанням

Контроль за виконанням Програми здійснює Кабінет Міністрів України шляхом розгляду щорічних і заключного звітів та узагальненого висновку про кінцеві результати виконання Програми.

Безпосередній контроль за виконанням заходів Програми, ефективним та цільовим використанням коштів її виконавцями здійснює Національна академія наук.

Додаток до Програми

ЗАХОДИ щодо розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки

(тис. гривень)

------------------------------------------------------------------

Зміст заходу | Виконавці |Обсяг | У тому числі

| |фінан- | з державного

| |сування|бюджету за роками

| | |-----------------

| | | 2005| 2006| 2007

------------------------------------------------------------------

I. Оптоелектронні пристрої для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища і запобігання тероризму

1. Розробка Інститут 450 200 200 енергоселективних сцинтиля- сенсорів ційних ультрафіолетової матеріалів радіації нового покоління на сполуках Інститут 420 200 200 A(в ступ. 2)B(в мікроприладів ступ. 6) з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень

2. Створення інтегрованих -"- 450 100 200 100 електронних пристроїв

для виміру потужності 440 150 100 150

дози та інтегральної

поглиненої дози

ультрафіолетового

випромінювання в

діапазоні A та B,

потужності дози в

діапазоні C

3. Підготовка до -"- 250 100 50 50 організації

промислового 340 150 50 100

виробництва

ультрафіолетових

дозиметрів для

застосування в

медичних закладах і

населенням

4. Відпрацювання -"- 750 400 150 150 технології одержання

p- i n- структур на

основі різних за типом

кремнієвих кристалів

Розроблення технології -"- 750 300 200 200

виробництва p- i n-

фотодіодів з

параметрами, що

не поступаються

зарубіжним аналогам

5. Розроблення технології -"- 750 300 200 200 одержання

багатоелементних p- і n- 750 400 100 200

фотодіодів (16-, 32-

та 64-канальних) для

лінійок детекторів,

придатних до

застосування у

рентгенівських

інспекційних сканерах

6. Розроблення технології -"- 650 200 200 200 одержання фотодіодних

багатоелементних 650 300 200 100

структур із кроком

200-250 мкм

з інтегрованою

електронікою і

комутаторами для

лінійок детекторів

з поліпшеним

просторовим

розрізненням

7. Створення детекторів Інститут 2150 1000 500 500 радіації на сцинтиля-

фотодіодних структурах ційних

у діапазоні енергій матеріалів

від 30 кеВ до 8-10 МеВ

для контролю багажу,

морських та авіаційних

контейнерів, легкових

та вантажних

автомобілів. Освоєння

дослідно-промислового

виробництва детекторів

8. Розробка Інститут 2150 1000 500 500 енергоселективних мікроприладів

сенсорів для

екологічного і

промислового

моніторингу тритію,

що відповідають

сучасному світовому

рівню

II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка

1. Створення діодних Інститут 250 80 90 80 p- i n- структур фізики

у вузькозонному напів-

напівпровідниковому провідників

матеріалі

ртуть-кадмій-телур Інститут 450 150 150 150

методом іонної мікроприладів

імплантації

2. Розрахунок профілів Інститут 50 20 15 15 розподілу іонів, фізики

імплантованих у плівки напів-

кадмій-ртуть-телур та провідників

кадмій-телур (аргон,

водень, гелій, бор,

неон)

3. Дослідження процесів -"- 50 20 15 15 аморфізації захисного

шару кадмій-телур та

впливу аморфізації на

характеристики діодів

4. Формування -"- 50 20 15 15 р(в ступ.+)-шарів в

епітаксійних плівках

кадмій-ртуть-телур

шляхом імплантації

іонів B(в ступ. +).

Оптимізація режимів

імплантації та відпалу

5. Дослідження -"- 50 20 15 15 деградаційних процесів

електричних

характеристик структур

у природних умовах та

під дією зовнішнього

впливу акустичних

навантажень у

структурах

кадмій-ртуть-телур,

сформованих шляхом

іонного травлення та

іонної імплантації

6. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15 технології нанесення фізики

пасиваційних покриттів напів-

кадмій-телур на провідників

поверхню фотоприймачів

на основі

кадмій-ртуть-телур.

Розробка Інститут 200 60 70 70

апаратно-технічного мікроприладів

рішення введення

ультразвуку в активну

зону установки

"гаряча стінка"

7. Математичне Інститут 50 20 15 15 моделювання росту фізики

пасиваційних покриттів напів-

на епітаксійні провідників

структури для

інфрачервоної

фотоелектроніки

8. Розробка нових бром- -"- 50 20 15 15 та йодвиділяючих

травильних композицій

для хімічного

полірування

напівпровідникових

матеріалів

інфрачервоної техніки

та створення нових

композицій для

пасивації їх поверхні

9. Вибір компонентів -"- 50 20 15 15 травників, підбір їх

співвідношення,

оптимізація складів

селективних травників

та технологічних

режимів травлення,

розроблення методики

визначення густини

дислокацій тонких

шарів твердих розчинів

Cd Hg Te x 1-x

10. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15 методики пасивації фізики

поверхні твердих напів-

розчинів провідників

Cd Hg Te x 1-x в різних сульфідних сумішах

11. Розроблення Інститут 50 20 15 15 технології фізики

виготовлення напів-

неохолоджуваних провідників

фоточутливих

структур - Інститут 150 50 50 50

мікроболометричних мікроприладів

матриць на основі

кремнію

12. Розроблення Інститут 550 180 190 180 архітектури та мікроприладів

елементної бази для

побудови схем

зчитування та

дослідження їх

фізико-технічних

характеристик

13. Розроблення -"- 400 130 130 140 технології

виготовлення схем

зчитування.

Опрацювання

технологічних режимів

та маршруту

виготовлення

кремнієвих фокальних

процесорів на базі

КМОН-технології

з проектними нормами

не гірше 1,6 мкм,

розробка

нестандартного

технологічного

обладнання

14. Виготовлення дослідних -"- 400 130 130 140 зразків кремнієвих

схем зчитування для

матричних та

лінійчастих

багатоелементних

інфрачервоних

фотоприймачів,

виготовлення

нестандартного

технологічного

обладнання.

Розроблення методик

тестування та

обладнання для

тестування параметрів

схем зчитування

15. Виготовлення -"- 350 110 120 120 обладнання для

тестування схем

зчитування та його

метрологічна атестація

16. Дослідження -"- 200 65 70 65 характеристик та

випробування

розроблених схем

зчитування

17. Дослідження Інститут 250 70 80 70 характеристик схем фізики

зчитування при низьких напів-

та наднизьких провідників

температурах

18. Дослідження -"- 300 100 100 100 характеристик та

випробування схем

зчитування,

гібридизованих

з масивом

фотоелементів

19. Розробка методів -"- 200 70 70 60 обробки сигналів

з великого масиву

фоточутливих елементів

та створення

алгоритмів побудови

інфрачервоних

зображень

20. Створення контактів до Інститут 50 15 20 15 епітаксійних шарів фізики

кадмій-ртуть-телур. напів- провідників

Формування Інститут 250 80 80 90

багатошарових мікроприладів

електричних контактів

до лінійок

фогоприймачів на

основі HgCdTe та

методом вакуумного

напилення

21. Відпрацювання Інститут 50 15 20 15 технології створення фізики

індієвих стовпчиків на напів-

схемах зчитування і провідників

лінійках фотоприймачів

22. Відпрацювання -"- 50 15 20 15 технології

гібридизації лінійок

фотоприймачів на

структурах

кадмій-ртуть-телур

з кремнієвими схемами

зчитування

23. Удосконалення -"- 100 30 40 30 лабораторного

устаткування для

виконання операції

гібридизації,

створення нових вузлів

апаратури

інфрачервоного

діапазону

24. Відпрацювання операцій -"- 50 15 20 15 виготовлення

невипрямляючих

контактів і з'єднання

фрагментів

напівпровідникової

мікроелектроніки та

інфрачервоної оптики

мікродротом (Au, Al)

25. Відпрацювання -"- 50 15 20 15 технології

виготовлення

сапфірових підкладок

з токопровідними

доріжками

26. Розробка та аналіз Інститут 50 15 20 15 ефективності та фізики

надійності клеєвих напів-

композицій для провідників

кріогенних температур Інститут 50 15 20 15 мікроприладів

27. Розроблення технології Інститут 150 50 50 50 та створення робочого фізики

місця оператора для напів-

виконання операцій провідників

збирання фоточутливих

матриць у кріостат

28. Удосконалення існуючих -"- 50 15 20 15 та розробка нових

зразків оптичних

кріостатів з

германієвим вхідним

вікном та діафрагмою

29. Розробка нових Інститут 50 15 20 15 фізико-технологічних фізики

рішень виготовлення напів-

інфрачервоних провідників

фотоприймальних Інститут

пристроїв, пов'язаних мікроприладів

з удосконаленням

технологій збирання, 250 90 80 80

кріплення, розробкою

охолоджуваних

інтерференційних

фільтрів

30. Розробка -"- 100 30 40 30 метрологічного

забезпечення,

вимірювання

електричних параметрів

схем зчитування 150 50 50 50

інформації з

багатоелементних

фотодетекторів

31. Розробка Інститут 100 30 40 30 метрологічного фізики

забезпечення, напів-

вимірювання провідників

фотоелектричних

параметрів

багатоелементних

фотоприймачів

інфрачервоного

діапазону

32. Виготовлення Інститут 200 70 70 60 автоматизованого фізики

високоточного напів-

вимірювального провідників

комплексу для

проведення Інститут 100 30 40 30

метрологічної мікроприладів

атестації електричних

та фотоелектричних

параметрів схем

зчитування,

багатоелементних

фотодіодних лінійок та

фотоприймальних

пристроїв

33. Дослідження шумів Інститут 100 30 40 30 багатоелементних фізики

інфрачервоних напів-

фотоприймачів та провідників

тепловізорів на їх

основі.

Розроблення методик

вимірювання та

апаратно-програмного

заглушення шумів

34. Розробка високоточної -"- 200 70 70 60 апаратури та

метрологічного

забезпечення для

проведення вимірювань

виявної здатності та

температури,

еквівалентної шумам

фотоприймальних

пристроїв

інфрачервоного

діапазону

35. Створення та атестація -"- 200 70 70 60 метрологічного центру

з вимірювання

параметрів

інфрачервоних

фотоприймачів

36. Аналіз впливу донорних -"- 100 30 40 30 домішок різної

хімічної природи на

оптичні та електричні

характеристики

кристалів оптичного

германію. Проведення

контрольних вимірів

параметрів зразків

37. Дослідження об'ємного -"- 100 30 40 30 розподілу донорних

домішок у кристалах

оптичного германію

великої площини

(діаметром до 230 мм).

Одержання однорідних

кристалів таких

розмірів

38. Відпрацювання та Інститут 500 100 100 300 оптимізація фізики

технологічного напів-

маршруту та окремих провідників

процесів виготовлення

функціональних Інститут 400 150 150 100

елементів та мікроприладів

фотоприймальних

пристроїв у цілому

на основі

охолоджуваних діодних

і неохолоджуваних

мікроболометричних

матриць

III. Виробництво високоефективних електролюмінісцентних джерел світла

1. Доопрацювання Інститут 9000 4500 4500 конструкції та монокристалів виготовлення 18 ростових установок типу "Горизонт 2М" для вирощування кристалів сапфіра для оптоелектроніки

2. Проведення робіт з -"- 2000 600 600 700 інженерно-технічного

забезпечення нової

ділянки для

вирощування кристалів

сапфіра

3. Проведення -"- 900 450 450 пусконалагоджувальних

робіт 18 ростових

установок типу

"Горизонт 2М"

4. Розроблення та -"- 600 250 250 впровадження у

дослідно-промислове

виробництво

високорентабельної

технології вирощування

кристалів оптичного

сапфіра в захисному

газовому середовищі

аргону

5. Доопрацювання та -"- 450 200 200 впровадження у

виробництво технології

одержання сировини

високої чистоти

(Al O >(-) 99,96%) з 2 3

металургійного

глинозему з

використанням операції

попереднього його

проплавлення в умовах

інтенсивної конвекції

розплаву

6. Організація серійного -"- 450 140 140 120 випуску сапфіру для

оптоелектроніки,

придатного для

виготовлення

сапфірових підкладок

діаметром до 6 дюймів

7. Розробка, виготовлення -"- 5000 2000 2000 1000 та закупівля

високопродуктивного

обладнання для

різання, шліфування,

полірування та

контролю якості

сапфірових підкладок

для оптоелектроніки

8. Розроблення та -"- 450 200 200 впровадження у виробництво технології виготовлення сапфірових підкладок з необхідною якістю поверхні

9. Розроблення та -"- 350 150 150 впровадження у виробництво методики корекції структурних та оптичних властивостей сапфірових підкладок (безградієнтний високотемпературний відпал у газовому середовищі з керованим відновним потенціалом)

10. Розроблення та -"- 300 150 150 впровадження лазерних методів обробки та маркування сапфірових елементів

11. Розроблення Інститут 5400 2000 1500 1500 конкурентоспроможної мікроприладів

технології та

обладнання для

світлодіодів і

інтегральних

оптоелектронних

пристроїв на їх

основі, дослідження

ефективних перехідних

шарів та організація

виробництва

гетероструктур

світлодіодів

12. Відновлення кремнієвої -"- 1100 300 400 300 технології КМОН

інтегральних схем на

базі дослідного

виробництва кристалів

інституту

мікроприладів

НТК "Інститут

монокристалів"

13. Розвиток сумісних з Інститут кремнієвими мікроприладів технологіями інтегральних технологій світловипромінювальних пристроїв:

дослідження процесів -"- 2000 400 800 800

епітаксії

гетероструктур на

основі матеріалів

A(в ступ. 3)B(в

ступ. 5), які

інтегруються з

елементами на кремнії

розроблення технології -"- 2500 900 800 800

та схемотехніки

оптоелектронних

інтегральних схем на

Si/A(в ступ. 3)B(в

ступ. 5)

створення дільниць -"- 2000 400 800 800

Si/A(в ступ. 3)B(в

ступ. 5)

твердотільних джерел

білого світла з

мікропроцесорним

керуванням

IV. Напівпровідникова надвисокочастотна електроніка міліметрового діапазону довжин хвиль

1. Розробка конструкцій, Інститут 1070 300 300 300 модернізація фізики

технології та напів-

організація провідників

виробництва

параметричного ряду

лавинопролітних діодів

для діапазону частот

30...140 ГГц

2. Розробка конструкцій, -"- 880 250 300 300 модернізація

технології та

організація

виробництва діодів

Ганна для діапазону

частот 30...100 ГГц

3. Розроблення та -"- 630 180 180 190 впровадження у

виробництво технології

виготовлення

параметричного ряду

перемикаючих p- i n-

діодів для діапазону

1...100 ГГц

4. Розробка та -"- 900 270 270 260 впровадження у

виробництво

передавально-

приймальних модулів

для автомобільних

радарних сенсорів у

діапазоні частот

77...78 ГГц на основі

кремнієвих технологій

5. Розробка та -"- 950 350 300 300 впровадження у

виробництво

малогабаритних

передавально-

приймальних модулів

імпульсного режиму

роботи 8-мм діапазону

з вихідною потужністю

50...150 Вт для

малогабаритних

корабельних та

вертолітних радарних

систем

6. Розробка та -"- 950 250 250 250 впровадження у

виробництво

передавально-

приймальних модулів

3-мм діапазону на

основі кремнієвих

технологій для

супершвидкісних

радіорелейних систем

зв'язку

(P = 20...40 мВт)

7. Розроблення та -"- 150 50 50 50 впровадження у

виробництво

іонно-плазмових

технологій легування

напівпровідників

8. Розроблення та Інститут 200 60 60 70 впровадження у фізики

виробництво напів-

плазмохімічних та провідників

іонно-плазмових

методів травлення Інститут 50 20 15 15

напівпровідників ядерних досліджень

9. Розроблення та Інститут 300 100 100 100 впровадження у фізики

виробництво напів-

іонно-плазмових провідників

технологій формування

високостабільних

контактних систем

та діелектричних шарів

10. Модернізація існуючої Інститут 410 200 150 технологічної бази для мікроприладів забезпечення розробки та виготовлення кремнієвих інтегральних надвисокочастотних структур та схем

11. Дослідження, розробка -"- 490 200 150 100 та впровадження молекулярно-променевої епітаксії гетероструктур на основі кремнію для створення надвисокочастотних інтегральних структур та схем

12. Дослідження і -"- 1280 300 400 500 розроблення технології

МОС-гідридної та

молекулярно-променевої

епітаксії арсеніду

галію та твердих

розчинів A(в ступ.

3)B(в ступ. 5),

виробництво

епітаксійних структур

для надвисокочастотних

приладів

__________________________ Усього за роками 21540 20795 14375

Разом 59360

Інформація
Розділи
Регуляторні кейси